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FQE10N20CTU

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Parte di u fabricatore
FQE10N20CTU
U fabricatore
Fairchild (ON Semiconductor)
Descrizzione
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
In magazinu
15611
Datasheets in linea
FQE10N20CTU PDF
  • serie:QFET®
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:360mOhm @ 2A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:510 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):12.8W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-126-3
  • pacchettu / casu:TO-225AA, TO-126-3
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