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SCT3120AW7TL

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Parte di u fabricatore
SCT3120AW7TL
U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
TRANS SJT N-CH 650V 21A TO263-7
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
In magazinu
18391
Datasheets in linea
-
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:21A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:156mOhm @ 6.7A, 18V
  • vgs (th) (max) @ id:5.6V @ 3.33mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:38 nC @ 18 V
  • vgs (max):+22V, -4V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:460 pF @ 500 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):100W
  • temperatura di funziunamentu:175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-263-7
  • pacchettu / casu:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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