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SCTH35N65G2V-7

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Parte di u fabricatore
SCTH35N65G2V-7
U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
In magazinu
11761
Datasheets in linea
-
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:45A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):18V, 20V
  • rds on (max) @ id, vgs:67mOhm @ 20A, 20V
  • vgs (th) (max) @ id:3.2V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 20 V
  • vgs (max):+22V, -10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1370 pF @ 400 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):208W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:H2PAK-7
  • pacchettu / casu:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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