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FDS8884

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Parte di u fabricatore
FDS8884
U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
In magazinu
14912
Datasheets in linea
FDS8884 PDF
  • serie:PowerTrench®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:8.5A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:23mOhm @ 8.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:635 pF @ 15 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SOIC
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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