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NTD20N03L27-1G

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Parte di u fabricatore
NTD20N03L27-1G
U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
In magazinu
13780
Datasheets in linea
NTD20N03L27-1G PDF
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:20A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4V, 5V
  • rds on (max) @ id, vgs:27mOhm @ 10A, 5V
  • vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:18.9 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.26 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1.75W (Ta), 74W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:I-PAK
  • pacchettu / casu:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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