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BSF035NE2LQXUMA1

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Parte di u fabricatore
BSF035NE2LQXUMA1
U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 25V 22A/69A 2WDSON
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
In magazinu
10949
Datasheets in linea
BSF035NE2LQXUMA1 PDF
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):25 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:22A (Ta), 69A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 30A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1862 pF @ 12 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.2W (Ta), 28W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • pacchettu / casu:3-WDSON
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