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UF3SC065030D8S

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Parte di u fabricatore
UF3SC065030D8S
U fabricatore
UnitedSiC
Descrizzione
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
In magazinu
19479
Datasheets in linea
-
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:18A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):12V
  • rds on (max) @ id, vgs:42mOhm @ 20A, 12V
  • vgs (th) (max) @ id:6V @ 10mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:43 nC @ 12 V
  • vgs (max):±25V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 100 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):179W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:4-DFN (8x8)
  • pacchettu / casu:4-PowerTSFN
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