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APT80GA90S

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Parte di u fabricatore
APT80GA90S
U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
In magazinu
18163
Datasheets in linea
-
  • serie:POWER MOS 8®
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:PT
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):900 V
  • current - collector (ic) (max):145 A
  • current - collector pulsed (icm):239 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.1V @ 15V, 47A
  • putenza - max:625 W
  • scambià energia:1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:200 nC
  • td (on/off) @ 25°c:18ns/149ns
  • cundizione di prova:600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D3PAK
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