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RJH1CM5DPQ-E0#T2

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Parte di u fabricatore
RJH1CM5DPQ-E0#T2
U fabricatore
Renesas Electronics America
Descrizzione
IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL, TO-
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
In magazinu
16310
Datasheets in linea
RJH1CM5DPQ-E0#T2 PDF
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1.2 V
  • current - collector (ic) (max):30 A
  • current - collector pulsed (icm):-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 15A
  • putenza - max:245 W
  • scambià energia:1.6mJ (on), 700µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:74 nC
  • td (on/off) @ 25°c:40ns/100ns
  • cundizione di prova:600V, 15A, 5Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):200 ns
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247
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