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1N5811TR

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Parte di u fabricatore
1N5811TR
U fabricatore
Microsemi
Descrizzione
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - rettificatori - unicu
In magazinu
15863
Datasheets in linea
1N5811TR PDF
  • serie:-
  • pacchettu:Bag
  • statutu di parte:Active
  • tipu di diodu:Standard
  • voltage - DC inversa (vr) (max):150 V
  • currente - media rettificata (io):6A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ if:875 mV @ 4 A
  • vitezza:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):30 ns
  • currente - fuga inversa @ vr:5 µA @ 150 V
  • capacità @ vr, f:-
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:B, Axial
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:-
  • temperatura di funziunamentu - junction:-65°C ~ 175°C
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