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BFP196WE6327

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Parte di u fabricatore
BFP196WE6327
U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
In magazinu
16083
Datasheets in linea
-
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):12V
  • freccia - transizione:7.5GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • guadagnà:12.5dB ~ 19dB
  • putenza - max:700mW
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 50mA, 8V
  • current - collector (ic) (max):150mA
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SC-82A, SOT-343
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-SOT343-4
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