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BFR843EL3E6327XTSA1

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Parte di u fabricatore
BFR843EL3E6327XTSA1
U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
In magazinu
10547
Datasheets in linea
BFR843EL3E6327XTSA1 PDF
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):2.6V
  • freccia - transizione:-
  • figura di rumore (db typ @ f):-
  • guadagnà:25.5dB
  • putenza - max:125mW
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:-
  • current - collector (ic) (max):55mA
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:3-XFDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TSLP-3-10
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