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MT3S113P(TE12L,F)

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Parte di u fabricatore
MT3S113P(TE12L,F)
U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
In magazinu
13951
Datasheets in linea
MT3S113P(TE12L,F) PDF
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):5.3V
  • freccia - transizione:7.7GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):1.45dB @ 1GHz
  • guadagnà:10.5dB
  • putenza - max:1.6W
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
  • current - collector (ic) (max):100mA
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-243AA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PW-MINI
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