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NHP620MFDT3G

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Parte di u fabricatore
NHP620MFDT3G
U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - rettificatori - arrays
In magazinu
17559
Datasheets in linea
NHP620MFDT3G PDF
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • cunfigurazione diodu:2 Independent
  • tipu di diodu:Standard
  • voltage - DC inversa (vr) (max):200 V
  • current - media rectificata (io) (per diode):3A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ if:1 V @ 3 A
  • vitezza:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):25 ns
  • currente - fuga inversa @ vr:500 nA @ 200 V
  • temperatura di funziunamentu - junction:-55°C ~ 175°C
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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