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J112-D26Z

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Parte di u fabricatore
J112-D26Z
U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - jfets
In magazinu
19506
Datasheets in linea
J112-D26Z PDF
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • voltage - breakdown (v(br)gss):35 V
  • drain à a tensione di fonte (vdss):-
  • current - drain (idss) @ vds (vgs=0):5 mA @ 15 V
  • purga di corrente (id) - max:-
  • voltage - cutoff (vgs off) @ id:1 V @ 1 µA
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • resistenza - rds (on):50 Ohms
  • putenza - max:625 mW
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-92-3
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