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CSD86350Q5D

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Parte di u fabricatore
CSD86350Q5D
U fabricatore
Texas Instruments
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
In magazinu
14273
Datasheets in linea
-
  • serie:NexFET™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Half Bridge)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):25V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:40A
  • rds on (max) @ id, vgs:6mOhm @ 20A, 8V
  • vgs (th) (max) @ id:2.1V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:10.7nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1870pF @ 12.5V
  • putenza - max:13W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-PowerLDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-LSON (5x6)
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