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IRF7101PBF

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Parte di u fabricatore
IRF7101PBF
U fabricatore
International Components Corp.
Descrizzione
HEXFET POWER MOSFET
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
In magazinu
19967
Datasheets in linea
IRF7101PBF PDF
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3.5A
  • rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 1.8A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:15nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:320pF @ 15V
  • putenza - max:2W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SO
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