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IPG20N10S436AATMA1

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Parte di u fabricatore
IPG20N10S436AATMA1
U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
In magazinu
17339
Datasheets in linea
IPG20N10S436AATMA1 PDF
  • serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:20A
  • rds on (max) @ id, vgs:36mOhm @ 17A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 16µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:15nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:990pF @ 25V
  • putenza - max:43W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount, Wettable Flank
  • pacchettu / casu:8-PowerVDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TDSON-8-10
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