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SSM6N55NU,LF

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Parte di u fabricatore
SSM6N55NU,LF
U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
In magazinu
19463
Datasheets in linea
-
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A
  • rds on (max) @ id, vgs:46mOhm @ 4A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 100µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:2.5nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:280pF @ 15V
  • putenza - max:1W
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:6-WDFN Exposed Pad
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-µDFN (2x2)
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