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QS8J4TR

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Parte di u fabricatore
QS8J4TR
U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
In magazinu
12677
Datasheets in linea
QS8J4TR PDF
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 P-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A
  • rds on (max) @ id, vgs:56mOhm @ 4A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:13nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:800pF @ 10V
  • putenza - max:550mW
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SMD, Flat Lead
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TSMT8
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