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MSCSM70VM10C4AG

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Parte di u fabricatore
MSCSM70VM10C4AG
U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP4
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
In magazinu
17358
Datasheets in linea
-
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N Channel (Phase Leg)
  • funzione fet:Silicon Carbide (SiC)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):700V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:238A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:9.5mOhm @ 80A, 20V
  • vgs (th) (max) @ id:2.4V @ 8mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:430nC @ 20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:9000pF @ 700V
  • putenza - max:674W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SP4
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