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PEMH19,115

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Parte di u fabricatore
PEMH19,115
U fabricatore
Nexperia
Descrizzione
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - bipolari (bjt) - arrays, pre-biased
In magazinu
13527
Datasheets in linea
PEMH19,115 PDF
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • current - collector (ic) (max):100mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50V
  • resistenza - basa (r1):22kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):-
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:150mV @ 500µA, 10mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):1µA
  • freccia - transizione:-
  • putenza - max:300mW
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SOT-563, SOT-666
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-666
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