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BCR35PNH6327XTSA1

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Parte di u fabricatore
BCR35PNH6327XTSA1
U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - bipolari (bjt) - arrays, pre-biased
In magazinu
12907
Datasheets in linea
BCR35PNH6327XTSA1 PDF
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Last Time Buy
  • tipu di transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • current - collector (ic) (max):100mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50V
  • resistenza - basa (r1):10kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):47kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 5mA, 5V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):-
  • freccia - transizione:150MHz
  • putenza - max:250mW
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-SOT363-6
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