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IXXN110N65B4H1

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Parte di u fabricatore
IXXN110N65B4H1
U fabricatore
Wickmann / Littelfuse
Descrizzione
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
In magazinu
10193
Datasheets in linea
IXXN110N65B4H1 PDF
  • serie:XPT™, GenX4™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:PT
  • cunfigurazione:Single
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
  • current - collector (ic) (max):215 A
  • putenza - max:750 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 110A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):50 µA
  • capacità di input (cies) @ vce:3.65 nF @ 25 V
  • input:Standard
  • termistore ntc:No
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:SOT-227-4, miniBLOC
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-227B
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