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PTFA191001EV4XWSA1

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Parte di u fabricatore
PTFA191001EV4XWSA1
U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
In magazinu
12617
Datasheets in linea
PTFA191001EV4XWSA1 PDF
  • serie:-
  • pacchettu:Tray
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu di transistor:LDMOS
  • frequenza:1.96GHz
  • guadagnà:17dB
  • tensione - prova:30 V
  • valutazione attuale (ampere):10µA
  • figura di rumore:-
  • currente - prova:900 mA
  • putenza - output:44dBm
  • voltage - valutatu:65 V
  • pacchettu / casu:2-Flatpack, Fin Leads
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:H-36248-2
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