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STG3P2M10N60B

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Parte di u fabricatore
STG3P2M10N60B
U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
In magazinu
17714
Datasheets in linea
STG3P2M10N60B PDF
  • serie:SEMITOP®
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu igbt:-
  • cunfigurazione:Three Phase Inverter
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
  • current - collector (ic) (max):19 A
  • putenza - max:56 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 7A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):10 µA
  • capacità di input (cies) @ vce:0.72 nF @ 25 V
  • input:Single Phase Bridge Rectifier
  • termistore ntc:No
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:SEMITOP®2
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SEMITOP®2
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