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STP25N60M2-EP

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Parte di u fabricatore
STP25N60M2-EP
U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
In magazinu
14720
Datasheets in linea
STP25N60M2-EP PDF
  • serie:MDmesh™ M2-EP
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):600 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:18A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:188mOhm @ 9A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4.75V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
  • vgs (max):±25V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1090 pF @ 100 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):150W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220
  • pacchettu / casu:TO-220-3
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