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NVTFS6H880NTAG

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Parte di u fabricatore
NVTFS6H880NTAG
U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
In magazinu
14643
Datasheets in linea
-
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):80 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:6.3A (Ta), 21A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:32mOhm @ 5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 20µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:6.9 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:370 pF @ 40 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3.1W (Ta), 31W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-WDFN (3.3x3.3)
  • pacchettu / casu:8-PowerWDFN
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